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“快恢复二极管APT2X60DQ120J现货参数价格资料”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | rosh |
| 类型： | 单管 | 安装方式： | 直插型 |
| 封装形式： | 塑料封装 | 应用： | 整流 |
| 品牌： | Microsemi | 是否进口： | 是 |
| 型号： | APT2X60DQ120J | 规格： | 1 |
| 商标： | Microsemi | 包装： | 盒装 |
“快恢复二极管APT2X60DQ120J现货参数价格资料”详细介绍
快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。
快恢复二极管APT2X60DQ120J现货参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商:Microsemi
RoHS: 符合RoHS
安装风格: Panel
封装 / 箱体: TO-244
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 240 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Anode Common Cathode
Vf - 正向电压: 1.3 V
最大浪涌电流: 900 A
Ir - 反向电流 : 660 uA
恢复时间: 77 ns
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
高度: 17.5 mm
长度: 93 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 658 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 22
商标名: HEXFRED
宽度: 21 mm
零件号别名: HFA240NJ40CPBF
单位重量: 68 g
工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
检测方法
快恢复二极管在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量 反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
关于更多快恢复二极管的相关信息请进入我司网站查看：http://www.highfel.com/
快恢复采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。
快恢复二极管APT2X60DQ120J现货参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商:Microsemi
RoHS: 符合RoHS
安装风格: Panel
封装 / 箱体: TO-244
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 240 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Anode Common Cathode
Vf - 正向电压: 1.3 V
最大浪涌电流: 900 A
Ir - 反向电流 : 660 uA
恢复时间: 77 ns
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
高度: 17.5 mm
长度: 93 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 658 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 22
商标名: HEXFRED
宽度: 21 mm
零件号别名: HFA240NJ40CPBF
单位重量: 68 g
工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
检测方法
快恢复二极管在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量 反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。
注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
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